|
|
IXDN75N120Артикул: 267640 Urmax:1,2кВ; Ic:150А; P:660Вт; SOT227B; винтами; винтами. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Импульсный ток: | 190А |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±20В |
| Напряжение коллектор-эмиттер: | 1,2кВ |
| Обратное напряжение макс.: |
1,2кВ; 1.2кВ; |
| Потери мощности: | 660Вт |
| Технология: | NPT |
| Тип модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 150А |
| Ток коллектора в импульсе: | 190А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Urmax:1,2кВ; Ic:150А; P:660Вт; SOT227B; винтами; винтами.
Теги: IXYS., Urmax:1, 2кВ, Ic:150А, P:660Вт, SOT227B, винтами, винтами.