IXBT6N170 Артикул: 0282129 Транзистор: IGBT; BiMOSFETs™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; D3PAK. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 30 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 4 10 15 Без НДС: 1 037.19 грн. 775.94 грн. 733.59 грн. 723.82 грн. 706.88 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	D3PAK
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время включения:	104нс
Время выключения:	700нс
Заряд затвора:	17нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор - эмиттер:	±20В
Напряжение коллектор-эмиттер:	1,7кВ
Потери мощности:	75Вт
Технология:	BiMOSFET™; FRED;
Тип транзистора:	IGBT
Ток коллектора:	6А
Ток коллектора в импульсе:	36А
Характеристики полупроводниковых элементов:	высоковольтный
PDF:

Транзистор: IGBT; BiMOSFETs™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; D3PAK.

Теги: Транзисторы IGBT SMD, IXYS, Транзистор: IGBT, BiMOSFETs™, 1, 7кВ, 6А, 75Вт, D3PAK