|
|
IXBT42N170AАртикул: 297299 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 21А; 357Вт; TO268. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO268 |
| Производитель: | IXYS |
| Вид упаковки: | туба |
| Время включения: | 33нс |
| Время выключения: | 308нс |
| Заряд затвора: | 188нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±20В |
| Напряжение коллектор-эмиттер: | 1,7кВ |
| Потери мощности: | 357Вт |
| Технология: | BiMOSFET™ |
| Тип транзистора: | IGBT |
| Ток коллектора: | 21А |
| Ток коллектора в импульсе: | 265А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | высоковольтный |
| PDF: |
|
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 21А; 357Вт; TO268.
Теги: Транзисторы IGBT SMD, IXYS, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1, 7кВ, 21А, 357Вт, TO268