IXBT2N250 Артикул: 297298 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 2,5кВ; 2А; 32Вт; TO268. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 10 30 Без НДС: 1 426.07 грн. 1 348.47 грн. 1 337.65 грн. 1 296.94 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO268
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время включения:	310нс
Время выключения:	252нс
Заряд затвора:	10,6нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор - эмиттер:	±20В
Напряжение коллектор-эмиттер:	2,5кВ
Потери мощности:	32Вт
Технология:	BiMOSFET™
Тип транзистора:	IGBT
Ток коллектора:	2А
Ток коллектора в импульсе:	13А
Характеристики полупроводниковых элементов:	высоковольтный
PDF:

Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 2,5кВ; 2А; 32Вт; TO268.

Теги: Транзисторы IGBT SMD, IXYS, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 2, 5кВ, 2А, 32Вт, TO268