IXBT24N170 Артикул: 297297 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 24А; 250Вт; TO268. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 23 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 30 Без НДС: 999.90 грн. 945.20 грн. 921.03 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO268
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время включения:	190нс
Время выключения:	1285нс
Заряд затвора:	140нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор - эмиттер:	±20В
Напряжение коллектор-эмиттер:	1,7кВ
Потери мощности:	250Вт
Технология:	BiMOSFET™
Тип транзистора:	IGBT
Ток коллектора:	24А
Ток коллектора в импульсе:	230А
Характеристики полупроводниковых элементов:	высоковольтный
PDF:

Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 24А; 250Вт; TO268.

Теги: Транзисторы IGBT SMD, IXYS, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1, 7кВ, 24А, 250Вт, TO268