IXBT16N170A Артикул: 297295 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 8 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 4 10 30 Без НДС: 929.93 грн. 806.54 грн. 762.65 грн. 733.39 грн. 732.75 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO268
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время включения:	43нс
Время выключения:	370нс
Заряд затвора:	65нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор - эмиттер:	±20В
Напряжение коллектор-эмиттер:	1,7кВ
Потери мощности:	150Вт
Технология:	BiMOSFET™
Тип транзистора:	IGBT
Ток коллектора:	10А
Ток коллектора в импульсе:	40А
Характеристики полупроводниковых элементов:	высоковольтный
PDF:

Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268.

Теги: Транзисторы IGBT SMD, IXYS, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1, 7кВ, 10А, 150Вт, TO268