|
|
IXBT10N170Артикул: 297294 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 27 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | TO268 |
| Производитель: | IXYS |
| Вид упаковки: | туба |
| Время включения: | 63нс |
| Время выключения: | 1,8мкс |
| Заряд затвора: | 30нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±20В |
| Напряжение коллектор-эмиттер: | 1,7кВ |
| Потери мощности: | 140Вт |
| Технология: | BiMOSFET™ |
| Тип транзистора: | IGBT |
| Ток коллектора: | 10А |
| Ток коллектора в импульсе: | 40А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | высоковольтный |
| PDF: |
|
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268.
Теги: Транзисторы IGBT SMD, IXYS, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1, 7кВ, 10А, 140Вт, TO268