IXBK55N300 Артикул: 297290 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 55А; 625Вт; TO264. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 15 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 Без НДС: 5 947.88 грн. 5 810.49 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO264
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время включения:	637нс
Время выключения:	475нс
Заряд затвора:	335нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор - эмиттер:	±20В
Напряжение коллектор-эмиттер:	3кВ
Потери мощности:	625Вт
Технология:	BiMOSFET™
Тип транзистора:	IGBT
Ток коллектора:	55А
Ток коллектора в импульсе:	600А
Характеристики полупроводниковых элементов:	высоковольтный
PDF:

Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 55А; 625Вт; TO264.

Теги: Транзисторы IGBT THT, IXYS, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 55А, 625Вт, TO264