IXBH16N170 Артикул: 282125 Транзистор: IGBT; BiMOSFETs™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 40 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 4 30 510 Без НДС: 896.22 грн. 640.52 грн. 605.54 грн. 585.82 грн. 582.00 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO247-3
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время включения:	220нс
Время выключения:	940нс
Заряд затвора:	72нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор - эмиттер:	±20В
Напряжение коллектор-эмиттер:	1,7кВ; 1.7кВ;
Потери мощности:	250Вт
Технология:	BiMOSFETs™; BiMOSFET™; FRED;
Тип транзистора:	IGBT
Ток коллектора:	16А
Ток коллектора в импульсе:	120А
Характеристики полупроводниковых элементов:	высоковольтный
PDF:

Транзистор: IGBT; BiMOSFETs™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3.

Теги: Транзисторы IGBT THT, IXYS, Транзистор: IGBT, BiMOSFETs™, 1, 7кВ, 16А, 250Вт, TO247-3