IXBH10N170 Артикул: 297282 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO247-3. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 24 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 5 Без НДС: 668.51 грн. 559.10 грн. 528.57 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO247-3
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время включения:	63нс
Время выключения:	1,8мкс
Заряд затвора:	30нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор - эмиттер:	±20В
Напряжение коллектор-эмиттер:	1,7кВ
Потери мощности:	140Вт
Технология:	BiMOSFET™
Тип транзистора:	IGBT
Ток коллектора:	10А
Ток коллектора в импульсе:	40А
Характеристики полупроводниковых элементов:	высоковольтный
PDF:

Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO247-3.

Теги: Транзисторы IGBT THT, IXYS, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1, 7кВ, 10А, 140Вт, TO247-3