IRFZ46NLPBF Артикул: 094144 Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 55В; 53А; 120Вт; TO262 Производитель: INFINEON (IRF)		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 103 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 10 17 45 Без НДС: 81.92 грн. 74.93 грн. 62.23 грн. 53.98 грн. 51.44 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO262
Производитель:	Infineon (IRF); INFINEON TECHNOLOGIES;
Заряд затвора:	48нC
Монтаж:	THT
Мощность:	120Вт
Напряжение затвор-исток:	20В; ±20В;
Напряжение сток-исток:	55В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	120Вт
Серия:	HEXFET®
Сопротивление в открытом состоянии:	16,5мОм; 16.5мОм;
Тепловое сопротивление переход-корпус:	1.3К/Вт
Технология:	HEXFET®
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	HEXFET
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	53А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 55В; 53А; 120Вт; TO262

Теги: INFINEON (IRF), Транзистор: N-MOSFET, полевой, HEXFET, 55В, 53А, 120Вт, TO262