(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • В корзине пусто!


  • IRFU120NPBF

IRFU120NPBF

Артикул: 094095


Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 100В; 9,1А; 39Вт; IPAK

Производитель: INFINEON (IRF)


PDF
 Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1 		Кол-во:
2680


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 25 29 50 75
Без НДС: 66.15 грн. 34.09 грн. 30.91 грн. 30.72 грн. 28.81 грн. 27.99 грн.
Корпус: IPAK
Производитель: Infineon (IRF);
INFINEON TECHNOLOGIES;
Заряд затвора: 16,7нC;
16.7нC;
Монтаж: THT
Мощность: 39Вт
Напряжение затвор-исток: 20В;
±20В;
Напряжение сток-исток: 100В
Полярность: полевой
Потери мощности: 39Вт
Серия: HEXFET®
Сопротивление в открытом состоянии: 0,21Ом;
210мОм;
Тепловое сопротивление переход-корпус: 3.2К/Вт
Технология: HEXFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Тип транзистора: HEXFET
Ток стока: 9,1А;
9.1А;
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 100В; 9,1А; 39Вт; IPAK

Теги: INFINEON (IRF), Транзистор: N-MOSFET, полевой, HEXFET, 100В, 9, 1А, 39Вт, IPAK