|
|
IRFU120NPBFАртикул: 094095 Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 100В; 9,1А; 39Вт; IPAK Производитель: INFINEON (IRF) |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 2907 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||
|
|
||||||||||||||||
| Корпус: | IPAK |
| Производитель: |
Infineon (IRF); INFINEON TECHNOLOGIES; |
| Заряд затвора: |
16,7нC; 16.7нC; |
| Монтаж: | THT |
| Мощность: | 39Вт |
| Напряжение затвор-исток: |
20В; ±20В; |
| Напряжение сток-исток: | 100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 39Вт |
| Серия: | HEXFET® |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,21Ом; 210мОм; |
| Тепловое сопротивление переход-корпус: | 3.2К/Вт |
| Технология: | HEXFET® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | HEXFET |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
9,1А; 9.1А; |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 100В; 9,1А; 39Вт; IPAK
Теги: INFINEON (IRF), Транзистор: N-MOSFET, полевой, HEXFET, 100В, 9, 1А, 39Вт, IPAK