IRFD911PBF Артикул: 093677 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -700мА; 1,3Вт; DIP4 Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 945 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 34 94 Без НДС: 66.74 грн. 55.62 грн. 26.12 грн. 24.66 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	DIP4
Производитель:	VISHAY
#Promotion:	vishay_201906
Заряд затвора:	8,7нC; 8.7нC;
Монтаж:	THT
Мощность:	1.3Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	-100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,3Вт; 1.3Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	1,2Ом; 1.2Ом; 1200мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-0,49А; -0.49А; -0.7А; -700мА;
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -700мА; 1,3Вт; DIP4

Теги: VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -100В, -700мА, 1, 3Вт, DIP4