IRFD014PBF Артикул: 093667 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,7А; 1,3Вт; DIP4 Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3	Кол-во: 741 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 38 103 Без НДС: 77.25 грн. 51.89 грн. 22.24 грн. 21.06 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	DIP4
Производитель:	VISHAY
#Promotion:	vishay_201906
Заряд затвора:	11нC
Монтаж:	THT
Мощность:	1.3Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,3Вт; 1.3Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,2Ом; 0.2Ом; 200мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	1,2А; 1.2А; 1.7А;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,7А; 1,3Вт; DIP4

Теги: VISHAY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 1, 7А, 1, 3Вт, DIP4