(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • IRFB52N15DPBF

IRFB52N15DPBF

Артикул: 093634


Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 150В; 60А; 320Вт; TO220AB

Производитель: INFINEON (IRF)



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
23


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 12 32 1000 2000
Без НДС: 118.23 грн. 105.51 грн. 102.97 грн. 78.18 грн. 73.73 грн. 72.46 грн. 71.19 грн.
Корпус: TO220AB
Производитель: Infineon (IRF);
INFINEON TECHNOLOGIES;
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 60нC
Монтаж: THT
Мощность: 320Вт
Напряжение затвор-исток: 30В;
±30В;
Напряжение сток-исток: 150В
Полярность: полевой
Потери мощности: 320Вт
Серия: HEXFET®
Сопротивление в открытом состоянии: 32мОм
Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.47К/Вт
Технология: HEXFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Тип транзистора: HEXFET
Ток стока: 60А
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 150В; 60А; 320Вт; TO220AB

Теги: FISCHER ELEKTRONIK, Изолирующая накладка, TO220, 0, 4К/Вт, 1, 22Вт/мК, 0, 3мм, UL94V-0