(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • IRFB4227PBF

IRFB4227PBF

Артикул: 093619


Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 200В; 65А; 190Вт; TO220AB

Производитель: INFINEON (IRF)



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
1911


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 15 42
Без НДС: 107.42 грн. 59.75 грн. 55.94 грн.
Корпус: TO220AB
Производитель: Infineon (IRF);
INFINEON TECHNOLOGIES;
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 70нC
Монтаж: THT
Мощность: 190Вт
Напряжение затвор-исток: 30В;
±30В;
Напряжение сток-исток: 200В
Полярность: полевой
Потери мощности: 190Вт
Серия: HEXFET®
Сопротивление в открытом состоянии: 26мОм
Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.45К/Вт
Технология: HEXFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Тип транзистора: HEXFET
Ток стока: 65А
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 200В; 65А; 190Вт; TO220AB

Теги: FISCHER ELEKTRONIK, Изолирующая накладка, TO220, 0, 4К/Вт, 1, 22Вт/мК, 0, 3мм, UL94V-0