(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • IRFB4110PBF

IRFB4110PBF

Артикул: 093612


Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 100В; 180А; 370Вт; TO220AB

Производитель: INFINEON (IRF)



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
660


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 14 38 1000
Без НДС: 153.40 грн. 129.85 грн. 64.92 грн. 61.10 грн. 60.47 грн.
Корпус: TO220AB
Производитель: Infineon (IRF);
INFINEON TECHNOLOGIES;
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 150нC
Монтаж: THT
Мощность: 370Вт
Напряжение затвор-исток: 20В;
±20В;
Напряжение сток-исток: 100В
Полярность: полевой
Потери мощности: 370Вт
Серия: HEXFET®
Сопротивление в открытом состоянии: 4,5мОм;
4.5мОм;
Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.4К/Вт
Технология: HEXFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Тип транзистора: HEXFET
Ток стока: 130А;
180А;
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 100В; 180А; 370Вт; TO220AB

Теги: FISCHER ELEKTRONIK, Изолирующая накладка, TO220, 0, 4К/Вт, 1, 22Вт/мК, 0, 3мм, UL94V-0