(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • IRF530NPBF

IRF530NPBF

Артикул: 093174


Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB

Производитель: INFINEON (IRF)



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
3420


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 25 47 128
Без НДС: 54.07 грн. 41.15 грн. 37.66 грн. 19.08 грн. 18.06 грн.
Корпус: TO220AB
Производитель: Infineon (IRF);
INFINEON TECHNOLOGIES;
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 24,7нC;
24.7нC;
Монтаж: THT
Мощность: 79Вт
Напряжение затвор-исток: 20В;
±20В;
Напряжение сток-исток: 100В
Полярность: полевой
Потери мощности: 79Вт
Серия: HEXFET®
Сопротивление в открытом состоянии: 90мОм
Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.9К/Вт
Технология: HEXFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: HEXFET
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 17А
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB

Теги: FISCHER ELEKTRONIK, Изолирующая накладка, TO220, 0, 4К/Вт, 1, 22Вт/мК, 0, 3мм, UL94V-0