IRF4905LPBF Артикул: 093158 Транзистор: P-MOSFET; полевой; HEXFET; -55В; -74А; 200Вт; TO262 Производитель: INFINEON (IRF)		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 80 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 28 100 Без НДС: 142.45 грн. 104.80 грн. 83.46 грн. 79.07 грн. 75.93 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO262
Производитель:	Infineon (IRF); INFINEON TECHNOLOGIES;
Заряд затвора:	120нC
Монтаж:	THT
Мощность:	200Вт
Напряжение затвор-исток:	20В; ±20В;
Напряжение сток-исток:	-55В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	200Вт
Серия:	HEXFET®
Сопротивление в открытом состоянии:	20мОм
Тепловое сопротивление переход-корпус:	0.75К/Вт
Технология:	HEXFET®
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Тип транзистора:	HEXFET
Ток стока:	-74А
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; HEXFET; -55В; -74А; 200Вт; TO262

Теги: INFINEON (IRF), Транзистор: P-MOSFET, полевой, HEXFET, -55В, -74А, 200Вт, TO262