(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • IRF1018EPBF

IRF1018EPBF

Артикул: 093054


Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 60В; 79А; 110Вт; TO220AB

Производитель: INFINEON (IRF)



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
326


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 32 87 250
Без НДС: 89.05 грн. 58.39 грн. 53.49 грн. 28.18 грн. 26.65 грн. 26.59 грн.
Корпус: TO220AB
Производитель: Infineon (IRF);
INFINEON TECHNOLOGIES;
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 46нC
Монтаж: THT
Мощность: 110Вт
Напряжение затвор-исток: 20В;
±20В;
Напряжение сток-исток: 60В
Полярность: полевой
Потери мощности: 110Вт
Серия: HEXFET®
Сопротивление в открытом состоянии: 8,4мОм;
8.4мОм;
Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.32К/Вт
Технология: HEXFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: HEXFET
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 79А
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 60В; 79А; 110Вт; TO220AB

Теги: FISCHER ELEKTRONIK, Изолирующая накладка, TO220, 0, 4К/Вт, 1, 22Вт/мК, 0, 3мм, UL94V-0