(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • IRF1010EPBF

IRF1010EPBF

Артикул: 093046


Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 60В; 81А; 170Вт; TO220AB

Производитель: INFINEON (IRF)



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
131


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 24 65 500 1000
Без НДС: 62.97 грн. 58.71 грн. 38.04 грн. 35.94 грн. 34.98 грн. 34.60 грн.
Корпус: TO220AB
Производитель: Infineon (IRF);
INFINEON TECHNOLOGIES;
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 86,6нC;
86.6нC;
Монтаж: THT
Мощность: 170Вт
Напряжение затвор-исток: 20В;
±20В;
Напряжение сток-исток: 60В
Полярность: полевой
Потери мощности: 170Вт
Серия: HEXFET®
Сопротивление в открытом состоянии: 12мОм
Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.9К/Вт
Технология: HEXFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: HEXFET
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 81А
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 60В; 81А; 170Вт; TO220AB

Теги: FISCHER ELEKTRONIK, Изолирующая накладка, TO220, 0, 4К/Вт, 1, 22Вт/мК, 0, 3мм, UL94V-0