IPU80R1K4P7AKMA1 Артикул: 251536 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 32Вт; IPAK. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1173 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 31 85 525 Без НДС: 72.51 грн. 40.33 грн. 28.69 грн. 27.16 грн. 26.08 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	IPAK
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Вид упаковки:	туба
Заряд затвора:	10нC
Монтаж:	THT
Мощность:	32Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	800В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	32Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	1,4Ом; 1400мОм;
Технология:	CoolMOS™ P7
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	2,7А; 2.7А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 32Вт; IPAK.

Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 2, 7А, 32Вт, IPAK.