IPU80R1K2P7AKMA1 Артикул: 251535 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 37Вт; IPAK. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 430 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 25 75 Без НДС: 41.34 грн. 36.89 грн. 32.76 грн. 29.83 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	IPAK
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Вид упаковки:	туба
Заряд затвора:	11нC
Монтаж:	THT
Мощность:	37Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	800В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	37Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	1,2Ом; 1200мОм;
Технология:	CoolMOS™ P7
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	3,1А; 3.1А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 37Вт; IPAK.

Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3, 1А, 37Вт, IPAK.