IPS65R1K5CEAKMA1 Артикул: 092776 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,1А; 28Вт; PG-TO251-3 Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3	Кол-во: 616 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 3 25 52 75 143 Без НДС: 21.18 грн. 19.08 грн. 17.05 грн. 16.98 грн. 16.16 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	IPAK SL; PG-TO251-3;
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж:	THT
Мощность:	28Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	650В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	28Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	1,5Ом; 1.5Ом; 1500мОм;
Технология:	CoolMOS™
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	3,1А; 3.1А;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,1А; 28Вт; PG-TO251-3

Теги: INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 3, 1А, 28Вт, PG-TO251-3