IPN80R4K5P7ATMA1 Артикул: 247071 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; SOT223; CoolMOS™ P7. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2063 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 30 80 Без НДС: 49.01 грн. 41.63 грн. 37.24 грн. 30.49 грн. 28.83 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	PG-SOT223
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Вид упаковки:	бобина
Заряд затвора:	4нC
Монтаж:	SMD
Мощность:	6Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	800В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	6Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	4,5Ом; 4500мОм;
Технология:	CoolMOS™ P7
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	1А
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; SOT223; CoolMOS™ P7.

Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 1А, 6Вт, SOT223, CoolMOS™ P7.