IPN80R1K4P7ATMA1 Артикул: 247067 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 7Вт; SOT223; CoolMOS™ P7. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2825 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 34 92 1000 3000 Без НДС: 68.81 грн. 51.18 грн. 26.67 грн. 25.21 грн. 24.44 грн. 24.25 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	PG-SOT223
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Вид упаковки:	бобина
Заряд затвора:	10нC
Монтаж:	SMD
Мощность:	7Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	800В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	7Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	1,4Ом; 1400мОм;
Технология:	CoolMOS™ P7
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	2,7А; 2.7А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 7Вт; SOT223; CoolMOS™ P7.

Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 2, 7А, 7Вт, SOT223, CoolMOS™ P7.