IPI80N06S407AKSA2 Артикул: 0694950 Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 58А; Idm: 320А. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 248 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 9 10 Без НДС: 119.23 грн. 108.15 грн. 105.54 грн. 96.42 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	PG-TO262-3
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Pulsed drain current:	320А
Заряд затвора:	27нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	79Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	7,4мОм
Технология:	OptiMOS® -T2
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	58А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 58А; Idm: 320А.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: N-MOSFET, OptiMOS® -T2, полевой, 60В, 58А, Idm: 320А