IPI086N10N3GXKSA1 Артикул: 092552 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3 Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 126 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 18 49 1000 Без НДС: 129.12 грн. 69.97 грн. 50.25 грн. 47.71 грн. 45.80 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	PG-TO262-3
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж:	THT
Мощность:	125Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	125Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	8,6мОм; 8.6мОм;
Технология:	OptiMOS™ 3
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	80А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3

Теги: INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 80А, 125Вт, PG-TO262-3