IPI076N12N3GAKSA1 Артикул: 092550 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 100А; 168Вт; PG-TO262-3 Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 150 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 27 1000 Без НДС: 240.43 грн. 92.23 грн. 87.14 грн. 85.87 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	PG-TO262-3
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж:	THT
Мощность:	168Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	120В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	168Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	7,6мОм; 7.6мОм;
Технология:	OptiMOS™ 3
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	100А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 100А; 168Вт; PG-TO262-3

Теги: INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 120В, 100А, 168Вт, PG-TO262-3