|
|
IPDD60R125G7XTMA1Артикул: 280424 Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 20А; Idm:54А. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 42 Срок поставки 20-30 дней |
||||
|
|
||||||||
| Корпус: | PG-HDSOP-10-1 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Pulsed drain current: | 54А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 27нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 120Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,125Ом; 125мОм; |
| Технология: | CoolMOS™ G7 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 20А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 20А; Idm:54А.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: N-MOSFET, CoolMOS™ G7, полевой, 600В, 20А, Idm:54А