IPD95R450P7ATMA1 Артикул: 262688 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1330 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 8 22 25 Без НДС: 154.56 грн. 133.57 грн. 114.49 грн. 108.13 грн. 104.32 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	DPAK
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Вид упаковки:	бобина
Заряд затвора:	35нC
Монтаж:	SMD
Мощность:	104Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	950В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	104Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,45Ом; 450мОм;
Технология:	CoolMOS™ P7
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	8,6А; 8.6А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK.

Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 950В, 8, 6А, 104Вт, DPAK.