IPD90N04S404ATMA1 Артикул: 251431 Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 90А; 71Вт. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2259 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 16 25 100 Без НДС: 87.66 грн. 72.72 грн. 64.28 грн. 57.79 грн. 53.89 грн. 53.24 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	PG-TO252-3-313
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Pulsed drain current:	360А
Вид упаковки:	бобина
Заряд затвора:	20нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	40В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	71Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	4,1мОм
Технология:	OptiMOS™ T2
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	81А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 90А; 71Вт.

Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, OptiMOS™ T2, полевой, 40В, 90А, 71Вт.