|
|
IPD80R3K3P7ATMA1Артикул: 251426 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-TO252-3 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Заряд затвора: | 6нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 18Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 800В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 18Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
3,3Ом; 3.3Ом; |
| Технология: | CoolMOS™ P7 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
1,3А; 1.3А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 1, 3А, 18Вт, PG-TO252-3.