IPD60R280P7ATMA1 Артикул: 251416 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1875 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 12 32 50 Без НДС: 125.31 грн. 80.14 грн. 76.33 грн. 71.88 грн. 69.33 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	PG-TO252-3
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Заряд затвора:	18нC
Монтаж:	SMD
Мощность:	53Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	600В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	53Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,28Ом; 280мОм;
Технология:	CoolMOS™ P7
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	8А
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3.

Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 8А, 53Вт, PG-TO252-3.