|
|
IPD60R170CFD7Артикул: 238775 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 76Вт; PG-TO252-3; OptiMOS™. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-TO252-3 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Заряд затвора: | 28нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 76Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 76Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,325Ом; 325мОм; |
| Технология: | OptiMOS™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 9А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 76Вт; PG-TO252-3; OptiMOS™.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 9А, 76Вт, PG-TO252-3, OptiMOS™.