IPD50N06S4L12ATMA2 Артикул: 251415 Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 36А; 50Вт. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1630 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 21 57 Без НДС: 85.04 грн. 57.48 грн. 42.84 грн. 40.55 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	PG-TO252-3
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Заряд затвора:	30нC
Монтаж:	SMD
Мощность:	50Вт
Напряжение затвор-исток:	±16В
Напряжение сток-исток:	60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	50Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	12мОм
Технология:	OptiMOS™ T2
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	36А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 36А; 50Вт.

Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, OptiMOS™ T2, полевой, 60В, 36А, 50Вт.