|
|
IPD30N03S4L09ATMA1Артикул: 251411 Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 30В; 30А; 42Вт. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-TO252-3 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Заряд затвора: | 15нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 42Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±16В |
| Напряжение сток-исток: | 30В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 42Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 9мОм |
| Технология: | OptiMOS™ T2 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 30А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 30В; 30А; 42Вт.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, OptiMOS™ T2, полевой, 30В, 30А, 42Вт.