IPB80N06S2L07ATMA3 Артикул: 251406 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO263-3. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 671 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 9 24 25 100 Без НДС: 167.92 грн. 104.32 грн. 98.59 грн. 97.95 грн. 94.77 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	PG-TO263-3
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Заряд затвора:	95нC
Монтаж:	SMD
Мощность:	210Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	55В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	210Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	6,7мОм; 6.7мОм;
Технология:	OptiMOS™
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	80А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO263-3.

Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 80А, 210Вт, PG-TO263-3.