|
|
IPB60R080P7ATMA1Артикул: 247758 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK; CoolMOS™ P7. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | D2PAK |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Вид упаковки: | бобина |
| Заряд затвора: | 51нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 129Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 129Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 80мОм |
| Технология: | CoolMOS™ P7 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 23А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK; CoolMOS™ P7.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 23А, 129Вт, D2PAK, CoolMOS™ P7.