|
|
IPB180N06S4H1ATMA2Артикул: 402805 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1000 Минимальный заказ позиции: 1000 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-TO263-7-3 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Pulsed drain current: | 720А |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 250Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 1,7мОм |
| Технология: | OptiMOS® -T2 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 180А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: N-MOSFET