|
|
IPB020N10N5LFАртикул: 219653 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 313Вт; D2PAK; OptiMOS™ 5. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1000 Минимальный заказ позиции: 1000 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: |
D2PAK; PG-TO263-3; |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 313Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 313Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 2мОм |
| Технология: | OptiMOS™ 5 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 120А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 313Вт; D2PAK; OptiMOS™ 5.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 120А, 313Вт, D2PAK, OptiMOS™ 5.