IPA80R900P7XKSA1 Артикул: 251258 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 27Вт; TO220FP. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 67 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 17 47 250 500 Без НДС: 98.66 грн. 77.02 грн. 52.19 грн. 49.65 грн. 48.37 грн. 47.74 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO220FP
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Вид упаковки:	туба
Заряд затвора:	17нC
Монтаж:	THT
Мощность:	27Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	800В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	27Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,75Ом; 750мОм;
Технология:	CoolMOS™ P7
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	4,6А; 4.6А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 27Вт; TO220FP.

Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 4, 6А, 27Вт, TO220FP.