|
|
IPD33CN10NGATMA1Артикул: 402815 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-TO252-3 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Pulsed drain current: | 108А |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 58Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 33мОм |
| Технология: |
OptiMOSTM2; OptiMOS™ 2; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 20А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: N-MOSFET