|
|
IPD042P03L3GATMA1Артикул: 402807 Транзистор: P-MOSFET. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-TO252-3 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Pulsed drain current: | -280А |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | -30В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 150Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 6,8мОм |
| Технология: |
OptiMOSTM -P3; OptiMOS™ P3; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -70А |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: P-MOSFET