|
|
IPB80N08S2L07ATMA1Артикул: 251407 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-TO263-3 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Заряд затвора: | 183нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 300Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 75В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 300Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
6,8мОм; 6.8мОм; |
| Технология: | OptiMOS™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 80А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 300Вт, PG-TO263-3.