IRFU3910PBF Артикул: 094109 Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 100В; 15А; 52Вт; IPAK Производитель: INFINEON (IRF)		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 203 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 10 27 74 Без НДС: 65.29 грн. 39.12 грн. 31.21 грн. 27.67 грн. 26.18 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	IPAK
Производитель:	Infineon (IRF); INFINEON TECHNOLOGIES;
Заряд затвора:	29,3нC; 29.3нC;
Монтаж:	THT
Мощность:	52Вт
Напряжение затвор-исток:	20В; ±20В;
Напряжение сток-исток:	100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	52Вт
Серия:	HEXFET®
Сопротивление в открытом состоянии:	0,115Ом; 115мОм;
Тепловое сопротивление переход-корпус:	2.4К/Вт
Технология:	HEXFET®
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	HEXFET
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	15А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 100В; 15А; 52Вт; IPAK

Теги: INFINEON (IRF), Транзистор: N-MOSFET, полевой, HEXFET, 100В, 15А, 52Вт, IPAK