(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • IRFB3207ZPBF

IRFB3207ZPBF

Артикул: 093601


Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 75В; 170А; 300Вт; TO220AB

Производитель: INFINEON (IRF)



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
88


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 7 20
Без НДС: 154.17 грн. 139.23 грн. 106.36 грн. 100.39 грн.
Корпус: TO220AB
Производитель: Infineon (IRF);
INFINEON TECHNOLOGIES;
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 120нC
Монтаж: THT
Мощность: 300Вт
Напряжение затвор-исток: 20В;
±20В;
Напряжение сток-исток: 75В
Полярность: полевой
Потери мощности: 300Вт
Серия: HEXFET®
Сопротивление в открытом состоянии: 4,1мОм;
4.1мОм;
Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.5К/Вт
Технология: HEXFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: HEXFET
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 120А;
170А;
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 75В; 170А; 300Вт; TO220AB

Теги: FISCHER ELEKTRONIK, Изолирующая накладка, TO220, 0, 4К/Вт, 1, 22Вт/мК, 0, 3мм, UL94V-0