(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • IRF630NPBF

IRF630NPBF

Артикул: 093206


Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 200В; 9,5А; 82Вт; TO220AB

Производитель: INFINEON (IRF)



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
197


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 22 60
Без НДС: 72.30 грн. 48.04 грн. 33.86 грн. 32.02 грн.
Корпус: TO220AB
Производитель: Infineon (IRF);
INFINEON TECHNOLOGIES;
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 23,3нC;
23.3нC;
Монтаж: THT
Мощность: 82Вт
Напряжение затвор-исток: 20В;
±20В;
Напряжение сток-исток: 200В
Полярность: полевой
Потери мощности: 82Вт
Серия: HEXFET®
Сопротивление в открытом состоянии: 0,3Ом;
300мОм;
Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.83К/Вт
Технология: HEXFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Тип транзистора: HEXFET
Ток стока: 9,5А;
9.5А;
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 200В; 9,5А; 82Вт; TO220AB

Теги: FISCHER ELEKTRONIK, Изолирующая накладка, TO220, 0, 4К/Вт, 1, 22Вт/мК, 0, 3мм, UL94V-0