|
|
IRF4905LPBFАртикул: 093158 Транзистор: P-MOSFET; полевой; HEXFET; -55В; -74А; 200Вт; TO262 Производитель: INFINEON (IRF) |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 120 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | TO262 |
| Производитель: |
Infineon (IRF); INFINEON TECHNOLOGIES; |
| Заряд затвора: | 120нC |
| Монтаж: | THT |
| Мощность: | 200Вт |
| Напряжение затвор-исток: |
20В; ±20В; |
| Напряжение сток-исток: | -55В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 200Вт |
| Серия: | HEXFET® |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 20мОм |
| Тепловое сопротивление переход-корпус: | 0.75К/Вт |
| Технология: | HEXFET® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | HEXFET |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -74А |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET; полевой; HEXFET; -55В; -74А; 200Вт; TO262
Теги: INFINEON (IRF), Транзистор: P-MOSFET, полевой, HEXFET, -55В, -74А, 200Вт, TO262